Bahan sasaran menawarkan pelbagai aplikasi, tetingkap pembangunan pasaran yang luas dan aplikasi yang sangat baik merentasi pelbagai kawasan. Majoriti peranti sputtering moden menggunakan magnet yang kuat untuk memacu elektron dalam corak lingkaran untuk mempercepatkan pengionan gas argon mengelilingi sasaran, yang meningkatkan kemungkinan sasaran akan bertembung dengan ion argon dan mempercepatkan kadar sputtering. Secara amnya, sputtering DC digunakan kebanyakannya untuk salutan logam, manakala sputtering RF AC digunakan untuk bahan seramik bukan konduktif. Idea utama adalah untuk memberi kesan kepada ion argon pada permukaan sasaran menggunakan nyahcas cahaya dalam vakum, dan kation dalam plasma akan mempercepatkan kesan. Perlanggaran ini akan menyebabkan bahan sasaran terbang keluar dan memendap pada substrat untuk membentuk lapisan nipis. Bahan sasaran akan melakukan ini pada permukaan negatif bahan yang akan terpercik.
Untuk salutan filem melalui teknik sputtering, biasanya terdapat beberapa perkara:
(1) Bahan filem nipis boleh dibuat daripada logam, aloi, atau pinggir.
(2) Di bawah keadaan persediaan yang sesuai, filem nipis dengan komposisi yang sama boleh dihasilkan daripada beberapa sasaran yang rumit.
(3) Bahan sasaran dan molekul gas boleh dicampur atau dikompaun dengan menambahkan oksigen atau gas aktif lain ke atmosfera nyahcas.
(4) Ketebalan filem berketepatan tinggi boleh diperolehi dengan mudah dengan mengawal arus input sasaran dan masa sputtering.
(5) Ia lebih sesuai untuk penciptaan filem homogen kawasan besar berbanding kaedah lain.
(6) Kedudukan sasaran dan substrat boleh dikonfigurasikan secara sewenang-wenangnya, dan zarah yang terpercik pada dasarnya tidak terjejas oleh graviti.
