1. Potong jongkong vanadium ketulenan yang diperlukan mengikut saiz sasaran menggunakan mesin menggergaji mendatar, panaskan pada 450-500 darjah, kemudian tempa dan kawal jumlah kadar ubah bentuk penempaan kepada 70-80%;
2. Anilkan jongkong vanadium palsu pada suhu 400-500 darjah dan masa penahanan 60-120min, dan kemudian sejukkannya dengan penyejukan udara;
3. Gulungkan jongkong vanadium anil, dan kawal amaun tekanan setiap hantaran kepada 0.5-1mm, dan kawal jumlah ubah bentuk kepada 70-80%, sehingga sasaran vanadium kosong bagi diameter dan ketebalan yang diperlukan diperolehi;
4. Anil sasaran vanadium yang digelek kosong semula pada suhu 450-550 darjah dan masa penahanan 90-150min. Selepas penyepuhlindapan sekali lagi, air menyejukkannya untuk mendapatkan kosong sasaran vanadium ketulenan tinggi yang diperlukan.
Kosong sasaran vanadium yang disediakan dengan cara ini bukan sahaja mempunyai struktur dalaman yang seragam, tetapi juga mempunyai kelebihan bijirin halus.
Bahan sasaran dikehendaki mempunyai ketulenan tinggi, kurang kekotoran, komposisi kimia seragam, tiada pengasingan, tiada liang, struktur butiran seragam, dan saiz butiran mikrometer hingga tahap milimeter. Perbezaan saiz butiran dalam satu sasaran sputtering diperlukan sekecil mungkin. Dengan cara ini, tidak mudah untuk menghasilkan fenomena pelepasan dalam magnetron sputtering, dan filem magnetron sputtering adalah seragam.
Penggunaan sasaran vanadium
Digunakan dalam bidang tenaga suria, paparan panel rata, elektronik dan semikonduktor, seperti litar bersepadu, metalisasi satah belakang, optoelektronik dan aplikasi lain.
